特許
J-GLOBAL ID：200903012297823608
ヘッドの端子形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041337
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249206
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 寸法が小さくなっても、めっき欠陥を発生しない、薄膜ヘッドの端子を得ることにある。【構成】 端子は基板にフォトレジストを塗布し、形成されたフォトレジスト膜に端子パターンを形成し、フォトレジスト膜のない領域にめっきをおこない、フォトレジスト膜を除去し、保護膜を形成し、保護膜表面をラップ加工して端子出しをおこなうことによって形成される。が、現像とめっきとのあいだに、O2雰囲気中でのRIE処理をフォトレジスト膜表面に施して、フォトレジスト膜表面を改質し、めっき液などにたいするフォトレジスト膜表面の水濡れ性を向上させるとともに、減圧処理をおこなって、端子パターンへの気泡の巻き込みを阻止することによって、めっき欠陥をなくして、欠陥のない柱状の端子の形成をおこなえるようにさせている。【効果】 高い信頼性のもとに端子の小型化および端子間隔の減少をおこなえるため、ヘッドの小型化をおこなえる。
請求項（抜粋）：
基板にフォトレジストを塗布し、形成される端子の高さより厚いフォトレジスト膜を基板に形成し、マスクをもちいてフォトレジスト膜に露光をおこない、露光後にフォトレジスト膜の現像をおこなって端子パターンを形成したあと、基板におけるフォトレジスト膜を形成していない領域にめっきをおこない、それからフォトレジスト膜を除去し、基板に保護膜を形成し、保護膜の表面をラップ加工して端子出しをおこなっている薄膜ヘッドの端子形成方法において、現像とめっきとのあいだに、O2 雰囲気中でのRIE処理をフォトレジスト膜の表面に施し、それからO2 雰囲気中でのRIE処理を施された基板を減圧環境におくステップを含んでいることを特徴とする薄膜ヘッドの端子形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
