化合物半導体装置、その製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073437
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283488
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】結晶欠陥が改良された化合物半導体単結晶が、化合物半導体と異なる材質の基板上に配置された構造の化合物半導体装置を提供すること。【構成】n型Si基板10に、n型コンタクト層13を設け、その上にn型アモルファスSi層14を介して、歪多重量子井戸活性層18を持つ面発光レーザダイオードを設けた化合物半導体装置。この面発光レーザダイオードの部分は、GaAs基板上に形成され、n型アモルファスSi層14により、n型Si基板10と張り合わせて製造される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体と異なる材質の基板と、該基板上に配置された化合物半導体と、両者の間に設けられた化合物半導体と異なる材質の無定形材料とからなり、上記化合物半導体に化合物半導体素子が設けられたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 , H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-263381
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044304 出願人：株式会社日立製作所
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-192264 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る