特許

J-GLOBAL ID：200903012358919905

化合物半導体の気相成長法

発明者： 伊藤 弘 ,  栗島 賢二
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011387
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208397
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】【目的】 炭素不純物の取り込み効率を増大させて、p型の導電形となった3元系の化合物半導体を気相成長できるようにすることを目的とする。【構成】 3元系のIII-V族化合物半導体を結晶成長させる基板の面方位を、(100)面もしくはこの(100)面と等価な面から、[011]方向もしくはこの[011]方向と等価な方向へ、20度ないし60度の範囲に傾けた状態とする。

請求項（抜粋）：

基板上に炭素が不純物として導入される化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の気相成長法において、前記化合物半導体層を形成する基体の主表面が、(100)面もしくはこの(100)面と等価な面から、[011]方向もしくはこの[011]方向と等価な方向へ、20度ないし60度の範囲に傾けた面方位となっていることを特徴とする化合物半導体の気相成長法。

IPC (4件)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 25/00 ,  C30B 31/06 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184302   出願人：住友電気工業株式会社
• 気相成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191673   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-226918