電界効果型トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-243281
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060169
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】溶液プロセスによりC60薄膜を作製した有機FETは、真空プロセスで作製した場合に比べてFETの低コスト化および大面積化が可能である。しかしながら、その電子移動度は、真空蒸着法により作製したFETに比べ約2桁低い。その原因として、薄膜の結晶性が低いことや有機溶媒、酸素、水などの電子輸送の妨げになる残留物の存在が上げられる。本願発明の課題は、溶液プロセスを用いても高い電子移動度を示す有機FETを提供することである。【解決手段】長鎖アルキル基を有するC60誘導体からなる結晶性の高いn型有機半導体を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。溶液プロセスにより結晶性の高い有機半導体層を形成し、さらにこれを熱処理して電子移動度を向上させたことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

溶液プロセスにより形成された結晶性の高い有機半導体層を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 29/06 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/06 601N , H01L29/78 627F , H01L29/28

Fターム (25件)：

5F110AA01 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機半導体薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-324201 出願人：旭化成株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-275968 出願人：日本電信電話株式会社, パイオニア株式会社, 株式会社日立製作所, 三菱化学株式会社, ローム株式会社
フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-035455 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

フラーレンのアルキル誘導体の薄膜形成

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