特許
J-GLOBAL ID：200903012368807803
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349143
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 分離絶縁膜となる埋め込み絶縁膜の堆積状態を考慮して、素子形成領域凸部占有率が計画的に決定されて配置されたダミーパターンを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 所定セル領域6内部に形成されるダミーパターン5の凸部占有率を、複数の所定セル領域6を含む複数の所定領域それぞれに形成される、素子形成領域の凸部占有率の最大値と略同等、または、平均値と略同等とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に素子分離領域によって分離形成された素子形成領域パターンと、前記素子分離領域に形成されたダミーパターンとを備え、所定領域を前記素子形成領域パターンが占有する素子形成領域パターン凸部占有率に対する、前記所定領域を複数に区切る所定セル領域内を前記ダミーパターンが占有するダミーパターン凸部占有率の比が、所定の値になるように設定された、半導体装置。
Fターム (11件)：
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA63
, 5F032AA77
, 5F032AA84
, 5F032BA02
, 5F032CA03
, 5F032CA17
, 5F032DA04
, 5F032DA33
, 5F032DA78
