特許

J-GLOBAL ID：200903012378518656

炭化珪素の成長法

発明者： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  出口 正洋 ,  北川 雅俊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234500
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081599
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素を成長させる基板に堆積物、段差、溝を設けたり、表面改質を施したりすることにより、炭化珪素堆積基板の内部応力を低減して基板の反りを緩和し、無作為なクラックの発生を抑制できる炭化珪素の成長法を提供する。【解決手段】基板11上には格子状の珪素から成る堆積物12を設け、堆積物12を具備した基板13上に炭化珪素14を成長させて、堆積物12の影響による炭化珪素14の凸部18を形成し、内部応力を低減させ、基板の反りを緩和する。

請求項（抜粋）：

基板表面に炭化珪素膜を成長させる方法であって、基板の少なくとも一部に無機堆積物を具備した基板を用いることを特徴とする炭化珪素の成長法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  C01B 31/36 ,  C23C 14/48 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42

FI (5件)：

C30B 29/36 A ,  C01B 31/36 A ,  C23C 14/48 Z ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-199417   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-270398
  
• 特開昭63-319294
  
• 特開昭60-016895
  
• 炭化珪素膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069610   出願人：ホーヤ株式会社