炭化珪素膜及びその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：塩澤寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255495
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】膜中に実質的に欠陥を有さず、電気的特性の制御が容易にできる結晶性および表面モホロジーに優れた炭化珪素膜及び炭化珪素膜付き基板並びにそれらの製造方法の提供。【解決手段】表面の中心線粗さ(Ra)が10nm以下、好ましくは0.5〜3nmの範囲である表面粗さを有する炭化珪素膜。表面のヒロック密度が200個/cm2 以下、好ましくは0〜100個/cm2 の範囲である炭化珪素膜。炭化珪素膜を有する基板であって、前記炭化珪素膜が前記特性を有する炭化珪素膜である炭化珪素膜付き基板。形状的欠陥又は結晶格子欠陥等の欠陥を有する基体上に炭化珪素膜を析出させる炭化珪素膜の製造方法。

請求項（抜粋）：