描画パターンデータ作成方法、電子ビーム描画方法、基体加工方法、並びに電子線描画装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057692
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256124
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】最小描画グリッドの大きさを既存のままとし、しかも、所望の寸法を有する半導体集積回路パターンを正確に形成することができる、露光用マスクや半導体集積回路の作製に適した描画パターンデータ作成方法を提供する。【解決手段】(A)設計パターンを、最小設計パターン単位長のn倍とすることによってn倍設計パターンを求め(但し、n>1)、次いで、該n倍設計パターンの輪郭が該輪郭に隣接した最小描画グリッド上に乗るように該n倍設計パターンを変換し、以て、描画パターンを得る工程と、(B)(a)n倍設計パターンの輪郭を含む描画パターンの部分に対して、最小描画グリッドを占めるn倍設計パターンの面積割合に応じたドーズ量を設定し、(b)n倍設計パターンの輪郭を含まない描画パターンの部分に対して、所定のドーズ量を設定する工程から成る。

請求項（抜粋）：

電子ビームを用いてパターンを描画するために用いられる、ドーズ量及び描画パターンから成る描画パターンデータの作成方法であって、(A)電子ビームの描画における最小描画グリッド長を最小設計パターン単位長のN倍(但し、N>1)としたとき、設計パターンを、最小設計パターン単位長のn倍とすることによってn倍設計パターンを求め(但し、n>1であり、n<N)、次いで、該n倍設計パターンの輪郭が該輪郭に隣接した最小描画グリッド上に乗るように該n倍設計パターンを変換し、以て、描画パターンを得る工程と、(B)(a)n倍設計パターンの輪郭を含む描画パターンの部分に対して、最小描画グリッドを占めるn倍設計パターンの面積割合に応じたドーズ量を設定し、(b)n倍設計パターンの輪郭を含まない描画パターンの部分に対して、所定のドーズ量を設定する工程、から成ることを特徴とする描画パターンデータ作成方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 541 E , H01L 21/30 541 M

引用特許：

審査官引用 (6件)

電子線露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-193799 出願人：富士通株式会社
特開平2-224321
フォトマスク描画用パターンデータ補正方法と補正装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196898 出願人：ソニー株式会社

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