特許
J-GLOBAL ID：200903012388309273

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松木 武雄

松木 武雄 について

, 
青山 知憲

青山 知憲 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-329639
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303261
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 NMOSFETおよびPMOSFETがともに良好な電流特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上のNMOS領域に、ニッケルシリサイド膜13からゲート電極11を形成する。また、PMOS領域に、多結晶のシリコン膜12からなるゲート電極10を形成する。ニッケルシリサイド膜13は、シリコン基板1から圧縮応力を受ける材料であり、多結晶のシリコン膜12は、シリコン基板1から引張応力を受ける材料である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にNMOSFETとPMOSFETとで構成される半導体装置において、 前記NMOSFETのゲート電極は、前記シリコン基板から圧縮応力を受ける材料からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5件)：
H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G
Fターム (39件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27
引用特許：
審査官引用 (2件)

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