特許
J-GLOBAL ID：200903012404165830
半導体装置を形成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111619
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050630
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 ドーパントの活性化と過度の拡散防止。【解決手段】 急速熱処理(RTP)を使って半導体装置内のドーパントの電気的な活性を高める方法を説明した。この発明の一面は、基板(14)のような半導体本体(12)上にゲートを形成し、ゲートに接近して半導体本体(12)にドーパント(28)を打込む事を含む。炉を使って、ドーパント(28)が部分的に活性化される。RTPを使って、ドーパント(28)が更に活性化される。炉によるアニールの他に、RTPによるドーパント(28)の活性化により、許容し得るチャンネルの深さを保ちながら、ドーパントの殆ど完全な活性化が出来る。
請求項（抜粋）：
半導体本体を有する半導体装置を形成する方法に於いて、前記半導体本体の上にゲートを形成し、該ゲートに接近して半導体本体にドーパントを打込み、炉を用いてドーパントの一部分を活性化し、急速熱処理(RTP)を使ってドーパントを更に活性化する工程を含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 602 B
, H01L 21/265 604 M
, H01L 29/78 301 S
