半導体マイクロアネモメータ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保科敏夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558364
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519687
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：

【要約】【課題】構造的に機械的な振動に耐えることができる高感度な半導体マイクロアネモメータ10の提供。【解決手段】マイクロアネモメータ10は、2つのシリコン層12,14を含む接合したシリコンウエハを微小加工して得る。マイクロアネモメータは、不純物がドープされ、上部表面および周縁を含む下部表面をもつ第1の半導体のウエハ12と、第1の半導体のウエハ12に接合される第2の半導体のウエハ14とを備える。第2の半導体のウエハ14は、上部表面および下部表面、ならびに、上部表面に周縁と周囲のマージンを区画する凹部16をもち、その凹部16の周縁部分に第1の半導体のウエハ12の下部表面が接合される。その接合に際し、第1の半導体のウエハ12の下部表面の周縁の0.025〜99%が凹部16の周縁部分に重なり合うように、少なくともその一部が凹部16を閉じるように接合される。

請求項（抜粋）：

次のa〜cを備えるマイクロアネモメータ。a) 不純物がドープされ、1)実質的に平坦な上部表面と、2)周縁を含み、実質的に平坦な下部表面とをもつ第1の半導体のウエハからなる電気伝導性の抵抗部材b) 前記第1の半導体のウエハに接合される第2の半導体のウエハであり、1)実質的に平坦な上部表面と、2)下部表面と、3)前記の上部表面に周縁と周囲のマージンを区画する凹部とをもち、その凹部の周縁部分に前記第1の半導体のウエハの下部表面が接合され、その接合に際し、第1の半導体のウエハの下部表面の周縁の0.025〜99%が凹部の周縁部分に重なり合うように、少なくともその一部が凹部を閉じるように接合される第2の半導体のウエハc) 前記抵抗部材を電流源に対して電気的に接続するための手段

Fターム (2件)：

2F035EA04 , 2F035EA08

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-013220
特開平4-269628
素子およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-012201 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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