炭素膜形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209209
公開番号（公開出願番号）：特開2009-041085
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】簡便な方法で、微粉の発生を抑制し、基材との密着性、表面平滑性、耐擦過性、低摩擦特性を備えた高品質の炭素膜を形成する炭素膜形成方法を提供する。【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下で、プラズマ放電を用いて基材上に炭素膜を形成する炭素膜形成方法において、放電ガスを放電空間に導入して励起する工程と、該励起した放電ガスと炭素を含有する原料ガスとを、放電空間外の基材近傍で混合させて二次励起ガスとする工程と、該二次励起ガスに基材を晒すことにより、該基材上に炭素膜を形成する薄膜形成工程1と、該薄膜形成工程1により形成された該炭素膜を励起ガスに晒す工程2とを有することを特徴とする炭素膜形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

大気圧または大気圧近傍の圧力下で、プラズマ放電を用いて基材上に炭素膜を形成する炭素膜形成方法において、放電ガスを放電空間に導入して励起する工程と、該励起した放電ガスと炭素を含有する原料ガスとを、放電空間外の基材近傍で混合させて二次励起ガスとする工程と、該二次励起ガスに基材を晒すことにより、該基材上に炭素膜を形成する薄膜形成工程1と、該薄膜形成工程1により形成された該炭素膜を励起ガスに晒す工程2とを有することを特徴とする炭素膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/56 , C23C 16/26

FI (2件)：

C23C16/56 , C23C16/26

Fターム (9件)：

4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

赤外線用光路の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100482 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
大気圧低温プラズマ処理プラスチックボトル及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-342973 出願人：昭和電工株式会社, 昭和アルミニウム缶株式会社
被膜形成装置及び被膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-418075 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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