特許
J-GLOBAL ID：200903012435524919

不揮発性メモリのプログラミング方法

発明者：
ヘミンク、ゲルトヤン

ヘミンク、ゲルトヤン について

, 
フォン、ユーピン

フォン、ユーピン について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551121
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519161
出願日： 2005年01月10日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
1つ又は複数のプログラミング動作を不揮発性記憶要素の組に実行する。プログラミング動作では、例えばプログラミングパルスの組を印加する。ベリファイ処理を実行し、不揮発性記憶要素のなかから、中間ベリファイしきい値に到達しているとともに最終ベリファイしきい値に到達していないものを特定する。中間ベリファイしきい値に到達しているとともに最終ベリファイしきい値に到達していない不揮発性記憶要素に、1つの追加プログラミング動作を低減したレベルで実行する。次に、それらの不揮発性記憶要素には、さらなるプログラミングを禁止する。中間ベリファイしきい値に到達していない不揮発性記憶要素には、プログラミングを継続する。最終ベリファイしきい値に到達した不揮発性記憶要素には、プログラミングを禁止する。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリをプログラミングする方法であって、 不揮発性記憶要素に一回又は複数回のプログラミング動作を実行する工程と、 前記不揮発性記憶要素が、最終ベリファイしきい値とは異なる中間ベリファイしきい値に到達しているのか否かを判定する工程と、 前記判定工程に応じて、前記不揮発性記憶要素に一回のみの追加プログラミング動作を低減したレベルで実行する工程と、 前記一回のみの追加プログラミング動作を実行した後に、追加プログラミング動作による前記不揮発性記憶要素のしきい値の変化に関わらず、前記不揮発性記憶要素へのプログラミングを禁止する工程と、 を備える方法。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (4件)：
G11C17/00 611A ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641
Fターム (13件)：
5B125BA03 ,  5B125CA01 ,  5B125CA04 ,  5B125CA14 ,  5B125CA18 ,  5B125DB08 ,  5B125DB09 ,  5B125DB12 ,  5B125DB18 ,  5B125EA05 ,  5B125EB01 ,  5B125FA01 ,  5B125FA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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