特許
J-GLOBAL ID：200903073201933784

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
田中 智晴

田中 智晴 について

, 
ジアン・チェン

ジアン・チェン について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397446
公開番号（公開出願番号）：特開2003-196988
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】書き込み時間の増加を抑えつつ、書き込み後のしきい値の分布幅を狭めることを特徴とする。【解決手段】電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性半導体メモリセルと、メモリセルにデータを書き込む書き込み回路であり、メモリセルに書き込み電圧Vpgmと書き込み制御電圧VBLとを供給してメモリセルに書き込みを行い、メモリセルが第1の書き込み状態に達したら書き込み制御電圧VBLの値を変えてメモリセルに書き込みを行い、メモリセルが第2の書き込み状態に達したら書き込み制御電圧VBLの値をVddに変えてメモリセルMの書き込みを禁止する書き込み回路とを具備している。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性半導体メモリセルと、前記メモリセルにデータを書き込む書き込み回路であり、前記メモリセルに書き込み電圧と書き込み制御電圧とを供給して前記メモリセルに書き込みを行い、前記メモリセルが第1の書き込み状態に達したら前記書き込み制御電圧の供給状態を変えて前記メモリセルに書き込みを行い、前記メモリセルが第2の書き込み状態に達したら前記書き込み制御電圧の供給状態をさらに変えて前記メモリセルの書き込みを禁止する書き込み回路とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 634 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (36件)：
5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP42 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER22 ,  5F083GA11 ,  5F083GA15 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BD22 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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