特許
J-GLOBAL ID：200903012517260669

半導体素子

発明者：
大保 広樹

大保 広樹 について

, 
竹内 邦生

竹内 邦生 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083503
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258576
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】動作電圧の増加を抑制することのできる半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子1は、導電性基板2上に、導電性接着層3を介して、p側接続用電極4、絶縁膜5、p側オーミック電極6、p型コンタクト層7、p型クラッド層8、p型キャップ層9、活性層10、n型クラッド層11、n型コンタクト層12、n側電極13が順に積層されている。p側オーミック電極6は、導電性接着層3と半導体層7〜12の間に、p型コンタクト層7と電気的に接続されて設けられている。p側オーミック電極6は、複数のストライプ部6aと、各ストライプ部6aを連結する連結部6bと、p側接続用電極4が接続される接続部6cとを有する。p側オーミック電極6の各ストライプ部6aの間には開口部6dが形成されている。絶縁膜5は、p側オーミック電極6を覆うように形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体を含む活性層を備える半導体層と、 前記半導体層が導電性接着層を介して接着される導電性基板と、 前記半導体層の前記導電性基板と対向する一面上に設けられたオーミック電極と、 前記オーミック電極と前記導電性接着層との間に設けられ、前記オーミック電極を覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜を貫通し、前記オーミック電極と前記導電性基板とを電気的に接続するための接続用電極と、を備え 前記オーミック電極は、前記半導体層の一面の一部を露出して設けられており、 前記絶縁膜は、前記オーミック電極から露出する前記半導体層の一面上を覆って設けられていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 Z
Fターム (24件)：
4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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