特許
J-GLOBAL ID：200903012537585297
スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088689
公開番号（公開出願番号）：特開平11-286777
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 所望の特性をもつ薄膜形成を容易にする。【解決手段】 基板を保持する為の基板保持手段(7)と、ターゲットを保持する為のターゲット保持手段(12)と、該ターゲットをスパッタリングする為のスパッタガスを反応室内に供給するスパッタガス供給手段(3)と、該ターゲットと該基板間に放電を起こす為の電力を供給する電力供給手段(8)とを備えたスパッタリング装置において、ターゲットと該基板との間に複数の開孔を有する仕切り部材(6)が設けられ、該ターゲットと該仕切り部材との間の空間にバイアス電圧が与えられる導電性部材(19)を設ける。
請求項（抜粋）：
基板を保持する為の基板保持手段と、ターゲットを保持する為のターゲット保持手段と、該ターゲットをスパッタリングする為のスパッタガスを反応室内に供給するスパッタガス供給手段と、該ターゲットと該基板間に放電を起こす為の電力を供給する電力供給手段とを備えたスパッタリング装置において、該ターゲットと該基板との間に複数の開孔を有する仕切り部材が設けられ、該仕切り部材と該基板との間に所定の電位に保持される導電性部材が設けられていることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
C23C 14/34 T
, C23C 14/34 C
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
