特許

J-GLOBAL ID：200903012577739408

スパッタリングターゲット

発明者： 渡辺 高志 ,  山野辺 尚 ,  石上 隆 ,  渡邊 光一 ,  矢部 洋一郎 ,  鈴木 幸伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370303
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173765
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 低パーティクル化、均一膜厚の膜を安定して成膜することが可能なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 シリコンが70〜97重量%であり、残部が実質的に高融点金属シリサイドからなるスパッタリングターゲットであって、金属組織は、少なくともシリコン相と、前記シリコンと前記高融点金属からなる高融点金属シリサイド相を有し、かつスパッタ面は、X線回折法(XRD)により求められたSi(111)面のピークの半値幅が0.5deg以下で、かつ高融点金属シリサイド(101)面のピークの半値幅が0.5deg以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコンが70〜97重量%であり、残部が実質的に高融点金属シリサイドからなるスパッタリングターゲットであって、金属組織は、少なくともシリコン相と、前記シリコンと前記高融点金属からなる高融点金属シリサイド相を有し、かつスパッタ面は、X線回折法(XRD)により求められたSi(111)面のピークの半値幅が0.5deg以下で、かつ高融点金属シリサイド(101)面のピークの半値幅が0.5deg以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  G03F 1/08

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/14 A ,  G03F 1/08 A

Fターム (6件)：

2H095BB03 ,  2H095BB25 ,  4K029BA35 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-098046   出願人：ホーヤ株式会社
• 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024037   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 金属シリサイドターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057983   出願人：日立金属株式会社

審査官引用 (3件)

• スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-098046   出願人：ホーヤ株式会社
• 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024037   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 金属シリサイドターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057983   出願人：日立金属株式会社