特許
J-GLOBAL ID：200903012591638924
半導体基材の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075543
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270669
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池に主として採用する半導体基材を、材料無駄なく、低コストで生産することができる製造方法を提供する。【解決手段】 第1基体の表面を陽極化成することにより、その表面に多孔質層を形成する工程と、前記基体の両面に同時に半導体層を形成する工程と、前記多孔質層および半導体層が形成された前記第1基体の表面に第2基体を接着する工程(あるいは、前記第1基体の表面に仮基体を吸着する工程と、前記第1基体と仮基体とを前記多孔質層を介して分離することで前記仮基体に前記半導体層を保持する工程)と、前記第1基体と第2基体とを前記多孔質層を介して分離することで前記第2基体に前記半導体層を転写する工程とよりなり、表面に半導体層を有する第2基体を構成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1基体の表面を陽極化成することにより、その表面に多孔質層を形成する工程と、前記基体の両面に同時に半導体層を形成する工程と、前記多孔質層および半導体層が形成された前記第1基体の表面に第2基体を接着する工程と、前記第1基体と第2基体とを前記多孔質層を介して分離することで前記第2基体に前記半導体層を転写する工程とよりなり、表面に半導体層を有する第2基体を構成することを特徴とする半導体機材の製造方法。
引用特許：
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