特許
J-GLOBAL ID：200903012608036532

半導体薄膜の製造方法

発明者：
根上 卓之

根上 卓之 について

, 
小原 直樹

小原 直樹 について

, 
西谷 幹彦

西谷 幹彦 について

, 
和田 隆博

和田 隆博 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012840
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213977
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】太陽電池の光吸収層となるCuIn(Se,S)2膜及びCu(In,Ga)(Se,S)2膜の膜の深さ方向のVIa族元素SeとSの分布を制御し、禁制帯幅に変化を与える製造方法を提供し、さらにこの方法で形成したCuIn(Se,S)2膜及びCu(In,Ga)(Se,S)2膜を用いることにより、高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池を提供する。【解決手段】裏面電極となるMo膜等の金属膜を被覆した基体(1)上に形成したCuInSe2膜またはCu(In,Ga)Se2膜(4)の表面上にIn、Sの原子または分子またはIn-Sの化合物分子(5)を供給し反応させることにより、S濃度が膜表面で高く膜の深さ方向に徐々に減少し、逆にSe濃度が膜表面で低く膜の深さ方向に徐々に増加する分布を有するCuIn(Se,S)2膜及びCu(In,Ga)(Se,S)2膜を製造する。
請求項（抜粋）：
CuInSe2 またはCu(In,Ga)Se2 半導体薄膜上にSを含む化合物を堆積し、反応させることによりCuIn(Se,S)2 またはCu(In,Ga)(Se,S)2 薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法。(ここで、Cu(In,Ga)Se2 はIb族元素CuとIIIa族元素とVIa族元素Seの化合物であって、IIIa族元素であるInとGaが固溶しており、前記元素の固溶率が一定でなく結晶中で変化している場合も含む。同様に、CuIn(Se,S)2 はIb族元素CuとIIIa族元素InとVIa族元素の化合物であって、VIa族元素であるSeとSが固溶しており、前記元素の固溶率が結晶中で一定でなく変化している場合も含む。同様に、Cu(In,Ga)(Se,S)2 はIb族元素CuとIIIa族元素とVIa族元素の化合物であって、IIIa族元素であるInとGa及びVIa族元素であるSeとSが固溶しており、前記元素の固溶率が結晶中で一定でなく変化している場合も含む。)
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203
FI (3件)：
H01L 31/04 E ,  C23C 14/06 D ,  H01L 21/203 Z
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM