特許
J-GLOBAL ID：200903012625625541
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002976
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204560
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 熱応力等に起因する金属配線の断線等を防止できる、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ10の電極を露出させた開口部を有する低弾性率層20と、半導体チップ10と低弾性率層20との間に介在する樹脂層15と、半導体チップ10の電極上に設けられたパッド30と、低弾性率層20の上に設けられたランド32と、該ランド32とパッド30とを接続するための金属配線31と、ランド32を開口して設けられたソルダーレジスト50と、ランド32上に設けられた金属ボール40とを備え、樹脂層15は、半導体チップ10と低弾性率層20とが各々有する弾性率の間の弾性率を有し、かつ、半導体チップ10と低弾性率層20とが各々有する熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する。
請求項（抜粋）：
主面上に電極を有する半導体チップと、前記半導体チップの上に設けられ前記電極を露出した低弾性率層と、前記低弾性率層と前記半導体チップとの間に介在する樹脂層と、少なくとも一部が前記低弾性率層の上に設けられ前記電極に接続される金属配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/3205
H01L 21/92 602 L
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 Z
