特許
J-GLOBAL ID：200903012645359759

半導体装置の製造方法

発明者：
山口 弘

山口 弘 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252230
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097642
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】柱状構造の導電体膜の微細加工を容易にすると共に、特にキャパシタの電極形状の精度を向上させ信頼性の高いキャパシタを実現する。【解決手段】半導体基板上に絶縁膜1を介して導電体膜2が堆積され、堆積直後の導電体膜の表面に形成されている凹凸が化学機械研磨法あるいはエッチバック法等で除去される。そして、このようにして平坦化された導電体膜の表面4にSOG膜あるいは化学気相成長法で堆積したシリコン酸化膜等の無機絶縁膜でマスク7が形成される。このマスクをエッチングマスクとしたドライエッチングで上記の導電体膜2が半導体装置の配線層あるいはキャパシタの電極9等のパターン形状に加工される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して導電体膜を形成する工程と、前記導電体膜の表面の凹凸を除去し平坦にする工程と、前記平坦化した導電体膜の表面にマスク材を形成し前記マスク材をエッチングマスクとして前記導電体膜を所定のパターンに加工する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 27/10 621 Z ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/04 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
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