特許

J-GLOBAL ID：200903012671787661

強誘電体薄膜の形成方法、薄膜形成用塗布液

発明者： 小岩 一郎 ,  金原 隆雄 ,  見田 充郎 ,  古山 晃一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  株式会社豊島製作所
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013048
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208226
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 従来に比べ低い本焼成温度でも強誘電性を示すSrBiTaO系の薄膜を湿式法により形成する。【解決手段】 Srエトキシエトキシド、BinブトキシドおよびTaエトキシドを、メトキシプロパノールとエチルアルコールとの混合溶液に加える。この溶液を下地上にスピナーにより塗布する。この塗膜に対し350°Cの温度で所定時間保持し、その後460°Cの温度で所定時間保持するという加熱条件で仮焼成を行なう。次に、700°Cの温度で本焼成を行なって薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

成分元素としてSr(ストロンチウム)を含む強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Srにアルコキシアルコキシ基が結合しているSrアルコキシドを含む塗布液を用いることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C01G 35/00 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

C01G 35/00 C ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-153197   出願人：日本電気株式会社
• 複合酸化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-183724   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-215320
  
• DRAM用キャパシタセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-129609   出願人：株式会社リコー