特許
J-GLOBAL ID：200903012677346829

半導体装置の製造方法

発明者：
船井 尚

船井 尚 について

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牧田 直樹

牧田 直樹 について

, 
高山 徹

高山 徹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351863
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【目的】 良質の多結晶半導体膜を形成させる。【構成】 絶縁性基板1上に非晶質半導体膜を堆積させた基板に対して、部分的に加熱する加熱部6を非晶質シリコン膜領域3の方向に移動させるか又は、この非晶質半導体膜を堆積させた基板を加熱部6に対して移動させて熱処理し、非晶質シリコン膜領域3の多結晶化を行うので、加熱領域2に隣接する、加熱光線7によって多結晶化された半導体部分の結晶粒を種結晶として、加熱領域2の移動方向に結晶粒を均一に成長制御させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板上に非晶質半導体膜を堆積後、被照射領域が帯状になるように加熱光線を該非晶質半導体膜に照射することで加熱して多結晶半導体領域を形成し、さらに該基板に対して該光線の照射による該帯状の被照射領域を移動させながら、該非晶質半導体膜を多結晶化する半導体装置の製造方法であって、該光線は連続波レーザであり、該基板に対する該被照射領域を移動させる速度は、該多結晶半導体領域を熔融させないようにするとともに、該被照射領域に該光線が照射されてから該非晶質半導体膜が熔融するまでの時間で該帯状の被照射領域の幅を割ることにより得られる速度以下にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (37件)：
5F052AA02 ,  5F052AA27 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA06 ,  5F052FA22 ,  5F052FA23 ,  5F052FA24 ,  5F052GA02 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP36
引用特許：
審査官引用 (22件)
  • 薄膜半導体装置、その製法および製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195906   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
  • 薄膜半導体装置とその製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-198781   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
  • 特開昭62-119914
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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