特許

J-GLOBAL ID：200903012686628420

フォトリソグラフィ方法、フォトリソグラフィマスクブランク及び作成方法

発明者： プリーストリー,リチャード エス ,  センポリンスキー,ダニエル アール ,  ユー,チュンジェ シー
出願人/特許権者： コーニング インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-539082
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515192
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月22日
要約：

【要約】248nm領域及び193nm領域にある波長を利用する深紫外(DUV)投影フォトリソグラフィシステムのような、300nmより短いDUV光波長を利用するフォトリソグラフィシステムに使用するための、投影フォトリソグラフィ方法、フォトリソグラフィフォトマスク及びフォトリソグラフィマスクブランクが提供される。低複屈折性マスクブランク及びフォトマスクを利用してフォトリソグラフィ光の偏光モード分散を抑制することにより、フォトリソグラフィパターンの形成が改善される。

請求項（抜粋）：

パターンを作成するためのフォトリソグラフィ方法において、前記方法が: 波長が300nmより短い紫外光λを発生し、前記紫外光λに指向性をもたせるための照明サブシステムを提供する工程; 光透過性フォトグラフィマスクをもつマスクサブシステムを提供する工程;前記フォトリソグラフィマスクはフォトリソグラフィパターンが描画された低複屈折性溶融石英SiO2ガラスウエハを含み、前記SiO2ガラスウエハの632.8nmで測定したガラス複屈折性は2nm/cm以下である; 投影光学系サブシステムを提供する工程; 感光性転写サブシステムを提供する工程;前記転写サブシステムは感光性転写媒体を含む;及び 前記照明サブシステム、前記マスクサブシステム、前記投影光学系サブシステム及び前記感光性転写サブシステムを位置合わせして、前記紫外光λで前記フォトリソグラフィマスクを照射し、よって前記低複屈折性SiO2ガラスウエハマスクの前記描画フォトリソグラフィパターンが、前記紫外光λの偏光モード分散が抑制されている状態で、前記感光性転写媒体上に投影される工程;を含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 Z ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (4件)：

2H095BA07 ,  2H095BC27 ,  2H097CA13 ,  2H097LA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 紫外線照射による緻密化が抑制された石英ガラス部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-164039   出願人：株式会社ニコン
• フオトマスク用高耐熱性石英ガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327152   出願人：旭硝子株式会社
• 光学用高耐熱性石英ガラスとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357809   出願人：旭硝子株式会社