半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036479
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233449
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】配線幅とスルーホール径が同等の多層配線を形成する場合に、スルーホールとエアギャップがつながりリークが発生するのを防ぐ。【解決手段】第1の配線3上に第1の絶縁膜5を成長させ平坦化し、絶縁膜5のスルーホール内にバリアメタル3及び埋設メタル1を埋設する。次に第1の絶縁膜5を第1の配線3の側面が露出するまでエッチングする。次に、バリアメタル1、バリアメタル2を含む第1の配線3の厚さ、または前記配線の厚さとスルーホール部の埋設メタルの厚さを足した厚さよりも狭い寸法の第1の配線3間に、エアギャップ9が形成されるような条件で第2の絶縁膜8を成長させる。これにより、スルーホールとエアギャップがつながらず、しかも隣接する配線間のリーク、容量の増大を防止することができる。

請求項（抜粋）：

スルーホール形成工程と、埋設工程と、除去工程と、絶縁膜形成工程と、配線工程とを含み、配線幅とスルーホール径がほぼ等しい多層配線を有する半導体装置の製造方法であって、スルーホール形成工程は、半導体基板上の配線を覆う第1の絶縁膜にスルーホールを形成する処理であり、埋設工程は、前記開口されたスルーホール内に高融点金属を埋設する処理であり、除去工程は、前記第1の絶縁膜を第1の配線の側面が露出するまでエッチングして除去する処理であり、絶縁膜形成工程は、第1の配線の厚さ以下(アスペクト比1以上)の配線間にエアギャップを形成するように第2の絶縁膜を成長させる処理であり、配線工程は、前記第2の絶縁膜を研磨し平坦化し、第2の絶縁膜上に第2の配線を形成する処理であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 D , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-030450
特開平2-086146
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118659 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る