半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280364
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070044
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】化学的機械研磨法を使っても簡便な、メタルプラグを用いた多層配線の形成法を提供すること。【構成】半導体基板101上に形成された第1の絶縁膜102上に形成された第1の配線層103の上にメタルプラグ106を形成し、該メタルプラグ106を全てまたは一部覆う形で第2の絶縁膜104を形成し、該メタルプラグ106の上部に堆積してある絶縁膜104,104aを除去する化学的機械研磨を行う工程を少なくとも含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に形成された第1の配線層の上にメタルプラグを形成し、該メタルプラグを覆う形で第2の絶縁膜を形成し、該メタルプラグの上部が露出するまで化学的機械研磨を行う工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の多層配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-080499 出願人：沖電気工業株式会社
特開平4-309249
特開昭61-258453

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