特許
J-GLOBAL ID：200903012709242150
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233045
公開番号（公開出願番号）：特開2004-067972
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1〜R3はH、F、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R4は単結合、アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R5は単結合、酸素原子、アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R6はメチレン基、酸素原子、又は硫黄原子。R7〜R10は、H、F、フッ素化されたアルキル基、-R11-OR12、-R11-CO2R12、又は-OR12。R11は単結合、アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R12はH又は酸不安定基。aは0又は1。)【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有するレジスト材料となり得るもので、パターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
IPC (6件)：
C08F28/02
, C08F212/14
, C08F220/22
, C08F232/00
, G03F7/039
, H01L21/027
C08F28/02
, C08F212/14
, C08F220/22
, C08F232/00
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AB07S
, 4J100AL08T
, 4J100AP01P
, 4J100AP01Q
, 4J100AR11R
, 4J100AR21R
, 4J100BA04Q
, 4J100BA07S
, 4J100BA08S
, 4J100BA55P
, 4J100BB07P
, 4J100BB07Q
, 4J100BB07S
, 4J100BB07T
, 4J100BB10R
, 4J100BB17P
, 4J100BB17Q
, 4J100BB17R
, 4J100BB17T
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC43P
, 4J100BC43Q
, 4J100BC55Q
, 4J100CA03
, 4J100JA38
