p型SiC用電極

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270771
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077860
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への損傷が少ないp型SiC用電極を提供する。【解決手段】ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、パラジウム(Pd)、及びプラチナ(Pt)の中から選択される少なくとも一種からなる第1の電極材料を含有させてp型電極を構成する。

請求項（抜粋）：

ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、パラジウム(Pd)、及びプラチナ(Pt)の中から選択される少なくとも一種からなる第1の電極材料を含んでなる、p型SiC用電極。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , C23C 14/14

FI (2件)：

H01L 21/28 301 F , C23C 14/14 G

Fターム (33件)：

4K029AA04 , 4K029BA02 , 4K029BA06 , 4K029BA12 , 4K029BA13 , 4K029BA23 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029GA01 , 4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF22 , 4M104GG18 , 4M104GG20 , 4M104HH12 , 4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭63-283014
特開平4-085972
白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-507541 出願人：クリー・リサーチ・インコーポレーテッド, ノース・キャロライナ・ステイト・ユニバーシティ

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審査官引用 (4件)

特開昭63-283014
特開平4-085972
白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-507541 出願人：クリー・リサーチ・インコーポレーテッド, ノース・キャロライナ・ステイト・ユニバーシティ

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