電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121470
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 III-V族化合物半導体を用いた高出力用FETの、高耐圧を有し安定にデバイス動作する素子の製造方法、および該方法によるFETの提供。【解決手段】 GaAsもしくはInP基板上に作製したFETのゲートとして、広い禁制帯を有するGaNもしくはAlNを用い、それを気相成長法もしくは有機金属気相成長法、有機金属分子線エピタキシ法によりゲート部のみに選択成長させるFETの製造方法であり、目的とする高耐圧を有し安定にデバイス動作するFETが得られる。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体の電界効果トランジスタを製造する方法において、基板上にn型伝導体を有するチャネル層を形成する工程、ゲートとなる部分に選択的に窒化膜を成長させる工程、該窒化膜上にゲート電極を形成する工程、ソース・ドレイン領域にオーミック電極を形成する工程、の各工程を有してなることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/203 , H01L 29/78 , H01L 29/778

FI (4件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/203 M , H01L 29/78 301 B , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-239865
特開平1-082671
特開平4-092439

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