特許

J-GLOBAL ID：200903012724785186

縦型半導体素子

発明者： 本多 隆 ,  樽茶 清悟 ,  ディ ガイ オースチン
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296073
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144933
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】従来のような複雑な工程と特殊な作製技術を必要とせず、容易に作製でき、しかも単数又は複数のサイドゲートを任意に作製できる縦型半導体素子を提供する。【解決手段】半導体メサ構造上に形成された導電層から成る単数又は複数のリード線4、5を有し、かつ半導体メサ構造における導電層の下に位置する部分10、11の幅Wおよび不純物濃度を、該部分が完全に空乏化される範囲の値に形成した構成。リード線の下に位置するメサ構造の部分は空乏化されて絶縁状態になるので、リード線を容易に分離した状態で形成できる。そのため従来のように絶縁樹脂を用いた平坦化工程や平坦化後の樹脂のエッチングなどの複雑かつ特殊な技術を用いずに、簡便な作製工程で形成できる。また、絶縁化されたメサ構造で分離された複数のサイドゲート14、15を容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体メサ構造上に形成された導電層から成る単数もしくは複数のリード線を有し、かつ上記半導体メサ構造における上記導電層の下に位置する部分の幅および不純物濃度が、該半導体メサ構造における導電層の下に位置する部分を完全に空乏化する範囲の値に形成されたことを特徴とする縦型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (4件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80 V

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体共鳴トンネルトランジスタおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066070   出願人：日本電信電話株式会社
• トンネル多入力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323444   出願人：日本電信電話株式会社