特許
J-GLOBAL ID：200903083826323599

半導体共鳴トンネルトランジスタおよびその作製方法

発明者：
本多 隆

本多 隆 について

, 
樽茶 清悟

樽茶 清悟 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066070
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264807
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】複雑で、特殊な作製技術を必要とすることなく、簡便なプロセスで、しかも高性能で信頼性の高い半導体共鳴トンネルトランジスタを作製する方法を提供する。【構成】変調ドープ二重障壁構造をもつ半導体上に、上部ソース電極となる金属膜を形成し、金属膜をエッチング用マスクとして、半導体の二重障壁層の直下までエッチングし、断面がテーパ状に傾斜したエッチング側壁を有する形状に加工する工程と、ウェットエッチングにより所定量(500Å以下)のサイドエッチングを行う工程と、金属膜を蒸着用マスクとして、セルフアラインプロセスでサイドゲート電極を形成する工程を少なくとも用いる。
請求項（抜粋）：
変調ドープ二重障壁層を持つ半導体を挟んで、上部にソース電極と下部にドレイン電極を有し、上記ソース電極をエッチング用マスクとして、上記変調ドープ二重障壁層の直下近傍までのドライエッチングにより、エッチング側壁の垂直断面形状が上記二重障壁層近傍で斜面となるように構成し、該斜面上に、サイドゲート電極を形成してなることを特徴とする半導体共鳴トンネルトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/80 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L 29/80 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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