特許

J-GLOBAL ID：200903012744869386

半導体素子の多層金属配線の形成方法

発明者： ネ・ハク・パク
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128838
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307385
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 Damascene構造の上部金属配線層として単一金属膜でない多重の金属膜を使用することにより、コンタクトオープン現象を防止するとともに半導体素子の処理速度を改善できる半導体素子の多層金属配線の形成方法を提供する。【構成】 半導体基板に設けた第1中間絶縁層上に下部金属配線層を形成するステップと、下部金属配線層が形成された第1中間絶縁層上に第2中間絶縁層を形成するステップと、下部金属配線層の上部の第2中間絶縁層をエッチングしてコンタクトホールを形成するステップと、コンタクトホールを含む基板上に第1及び第2上部金属を順次堆積させるステップと、前記第1上部金属が露出するまで第2上部金属をエッチングするステップと、前記第2中間絶縁層が露出するまで前記第1上部金属をエッチングして二重の金属からなる上部配線層を形成するステップと、を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の全面上に第1中間絶縁層を形成するステップと、第1中間絶縁層上に下部金属配線層を形成するステップと、下部金属配線層が形成された第1中間絶縁層上に第2中間絶縁層を形成するステップと、下部金属配線層の上部の第2中間絶縁層をエッチングしてコンタクトホールを形成するステップと、コンタクトホールを含む基板上に第1及び第2上部金属を順次堆積させるステップと、前記第1上部金属が露出するまで第2上部金属をエッチングするステップと、前記第2中間絶縁層が露出するまで前記第1上部金属をエッチングして二重の金属からなる上部配線層を形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体素子の多層金属配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-239875   出願人：富士通株式会社
• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-238303   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-165342
  
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-151481   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-274732