特許
J-GLOBAL ID：200903012822680368

半導体装置及びその製造方法

発明者：
尾方 賢一

尾方 賢一 について

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伊藤 和典

伊藤 和典 について

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南條 健

南條 健 について

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大塚 正也

大塚 正也 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004455
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204785
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、浅いP型拡散層領域においても、リーク電流の発生なく、プリアモルファス化の効果により細線効果を抑える半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 素子分離酸化膜2によって分離形成されたN型半導体基板1領域内に絶縁膜3を介してゲート電極4を形成する工程と、イオン注入法によりN型半導体基板1領域内にP型高濃度拡散層7を形成する工程と、このP型高濃度拡散層7上にシリサイド層12を形成する工程と、を含み、かつシリサイド層12を形成する工程までに、P型高濃度拡散層7に対しN型不純物のイオン注入によりP型高濃度拡散層7領域の表面部分をアモルファス化する工程を含む半導体装置の製造方法において、半導体基板1上に酸化膜15を形成し、N型不純物のイオン注入を酸化膜15越しに行い、注入後、シリサイド形成のための高融点金属膜11を堆積する前に前記酸化膜を除去する。
請求項（抜粋）：
素子分離酸化膜によって分離形成されたN型半導体基板領域上に絶縁膜を介してゲート電極が形成され、その周囲のN型半導体基板領域上にP型高濃度拡散層が設けられた半導体装置において、前記P型高濃度拡散層領域中にこのP型高濃度拡散層領域より低濃度かつN型半導体基板領域よりも高濃度のN型不純物領域が形成され、前記P型高濃度拡散層領域とN型半導体基板領域間の接合位置と、前記N型不純物領域の濃度が前記N型半導体基板領域の濃度と同一になる位置との距離が、前記P型高濃度拡散層領域の中央付近における前記半導体基板表面に対して垂直方向の前記距離が、前記半導体基板表面かつ素子分離酸化膜端付近における基板表面に対する水平方向の前記距離よりも短いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/28 301 T
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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