半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179940
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087709
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 20KeV以上の注入エネルギーでイオン注入を行なってゲート電極となるポリシリコン膜の表面部にアモルファス層を形成して、ゲート電極の低抵抗化を図るにも拘わらず、ポリシリコン膜におけるチャネリングを防止する。【解決手段】半導体基板100上にゲート電極となる第1のポリシリコン膜103及びソース・ドレイン領域となる第1の高濃度不純物層107を順次形成した後、全面に亘って30nmの膜厚を有するシリコン酸化膜からなる絶縁性薄膜109を堆積する。Asイオンを絶縁性薄膜109を介して注入して、第1のポリシリコン膜103及び第1の高濃度不純物層107の各表面部にアモルファス層110を形成する。全面に亘って40nmの膜厚を有するTi膜を堆積した後、第1回目の熱処理を行なって、第1のポリシリコン膜103及び第1の高濃度不純物層107の各表面部にTiSi2 (C49)膜を形成した後、第2回目の熱処理を行なってTiSi2 (C49)膜を低抵抗なTiSi2 (C54)膜に変化させる。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる半導体基板上にゲート電極となるポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と、前記ポリシリコン膜の上に絶縁性薄膜を堆積する絶縁性薄膜堆積工程と、不純物イオンを前記絶縁性薄膜を介して前記ポリシリコン膜に注入して、前記ポリシリコン膜の表面部にアモルファス層を形成するイオン注入工程と、前記ポリシリコン膜の上に存在する前記絶縁性薄膜を除去する絶縁性薄膜除去工程と、前記アモルファス層の上に金属膜を堆積した後、熱処理により前記アモルファス層と前記金属膜とを反応させて、前記ポリシリコン膜の表面部に金属シリサイド層を形成するシリサイド化工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/28 301 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-261754
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-341556 出願人：株式会社リコー
特開平3-297148

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