特許
J-GLOBAL ID：200903012838017561

半導体装置の製造方法

発明者：
金村 龍一

金村 龍一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221069
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063859
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】低誘電率層間絶縁膜内にデュアルダマシン構造を形成する際、高信頼性の多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本方法では、第一の絶縁膜6及び第二の絶縁膜7を成膜し、次いで第一から第三マスク形成層8、9、20を成膜する。第三マスク形成層をパターニングして配線溝パターンの第3のマスクを形成する。第3のマスクを含む第二マスク形成層上に接続孔パターンのレジストマスクを形成し、第3のマスク、第二及び第一マスク形成層をエッチングし、更に第二の絶縁膜をエッチングして、接続孔を開口する。第3のマスクを用いて配線溝パターンの第2のマスクを形成すると共に、第一の絶縁膜の途中まで接続孔を開口する。第2のマスクを用いて第一マスク形成層をエッチングして、配線溝パターンの第1のマスクを形成すると共に、接続孔の底部に残存する第一の絶縁膜をエッチングして接続孔を開口する。第1ないしは第2のマスクを用いて第二の絶縁膜をエッチングし、第二の絶縁膜に配線溝を形成し、少なくとも第2及び第3のマスクを除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有機絶縁膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、 相互に異なる2種類以上の膜種からなる3層以上のエッチングマスク形成層を前記層間絶縁膜上に順次成膜する工程と、 最上層のエッチングマスク形成層をパターニングして最上層マスクを形成し、次いで前記最上層マスクで前記最上層のエッチングマスク形成層の下の次段エッチングマスク形成層をエッチングして次段エッチングマスクを形成し、次いで前記次段エッチングマスクで次々段エッチングマスク形成層をエッチングして次々段エッチングマスクを形成し、順次、上のエッチングマスク形成層で形成したエッチングマスクで前記上のエッチングマスク形成層の下の段のエッチングマスク形成層をエッチングしてエッチングマスクを形成する工程と、 形成したエッチングマスクを使って前記層間絶縁膜をエッチングして、配線溝及び接続孔を形成する工程と を備え、前記3層以上のエッチングマスク形成層のうちの1層のエッチングマスク形成層を配線溝パターンのマスク形成層として成膜し、残りの層のうちの1層のエッチングマスク形成層を接続孔パターンのマスク形成層として成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L21/3065
FI (2件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A
Fターム (41件)：
5F004AA04 ,  5F004BA13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA28 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22
引用特許：
審査官引用 (3件)

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