特許
J-GLOBAL ID：200903012866916555

ホウ化物結晶とこれを用いた半導体層形成用基板並びにその製造方法

発明者：
大谷 茂樹

大谷 茂樹 について

, 
木下 博之

木下 博之 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について

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京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-155580
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348200
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：
【要約】【課題】 ZrB2若しくはTiB2又はこれらの固溶体組成からなるホウ化物単結晶とその製造方法に関して、FZ法を用いて粒界のないXB2単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 主成分としてXB2(XはTi及びZrの少なくとも一種である)とCrB2とを含む混合原料からフローティングゾーン法により単結晶を育成する。原料棒中のCrB2の配合量は、1〜30mol%の範囲とされる。これにより、直径10mm以上の単結晶が得られ、結晶中に0.0004mol%〜9mol%以下のCrB2を含有する。このような大きな単結晶を窒化ガリウム系の半導体層形成用の成長基板に提供し、基板上には、広い面域に渡って格子欠陥のない半導体膜が形成される。
請求項（抜粋）：
XB2(XはTi及びZrの少なくとも一種である)を主成分とする結晶であって、結晶中0.0004mol%〜9mol%以下のCrB2を含有することを特徴とするホウ化物結晶。
IPC (4件)：
C30B 29/52 ,  C01B 35/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
C30B 29/52 ,  C01B 35/02 ,  H01L 21/208 M ,  H01L 33/00 C
Fターム (16件)：
4G077AA02 ,  4G077BE06 ,  4G077CE03 ,  4G077EC07 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F053AA19 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053PP08 ,  5F053PP12 ,  5F053RR03
引用特許：
審査官引用 (1件)

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