特許

J-GLOBAL ID：200903014062663819

半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置

発明者： 大谷 茂樹 ,  須田 淳 ,  木下 博之
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  京セラ株式会社 ,  大谷 茂樹 ,  須田 淳
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228903
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043223
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 GaN系などの窒化物半導体層と結晶格子の整合性の高い成長用の基板を提供する。【解決手段】 化学式XB2(但し、XはTi若しくはZrの少なくとも1種を含む)で表される二硼化物単結晶を、半導体層成長用の基板とする。特に、この結晶の(0001)面を主面に利用して、ガリウム、アルミニウムなどの窒化物半導体層の成長に使用する。二硼化物単結晶の(0001)面と窒化物半導体層との格子整合性と熱膨張率の整合性が高く、成長層の格子欠陥を低減でき、成長層が熱的に安定化され、基板の放熱特性を高めて、半導体装置の性能を高める。このような基板は、特に、上記半導体層中にGaN系の半導体発光層を含む発光ダイオードなどの半導体装置の形成に有効に利用できる。

請求項（抜粋）：

化学式XB2(但し、XはTi若しくはZrの少なくとも1種を含む)で表される二硼化物単結晶から成り、主面上に半導体層を成長させるための半導体層形成用基板。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/12 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/12 ,  H01L 33/00 C

Fターム (26件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA01 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH10 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103PP01 ,  5F103PP06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 標準試料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211159   出願人：日本電信電話株式会社