処理機能付記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-193828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039883
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】用いるトランジスタなどの数が少なく、単純な動作で処理することができ、トラブルの少ない処理機能付記憶装置を提供する。【解決手段】 Wセル34は強誘電体コンデンサCFを備えている。強誘電体コンデンサCFの一端40は、トランジスタT1を介してデータラインDに接続されている。強誘電体コンデンサCFの一端40は、また、トランジスタT2を介して内部データラインMWに接続されている。Qセル36の構成もほぼ同じである。データラインDを用いて、外部から情報の読み書きが行なわれる。Wセル34およびQセル36の内容は、内部データラインMW、MQを用いて、加算器28に送られ、演算結果は、バッファ回路32を介してQセル36に書き込まれる。強誘電体コンデンサCFを用いることにより、簡単な構成で機能メモリを実現することができる。

請求項（抜粋）：

情報を記憶する記憶素子と、記憶素子に記憶された情報に所定の処理を施す内部処理手段と、を備えた処理機能付記憶装置において、記憶素子として、強誘電体のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する強誘電体記憶素子を用いたこと、を特徴とする処理機能付記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 14/00 , G11C 7/00 311 , G11C 11/22

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A , G11C 7/00 311 F , G11C 11/22

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置及びデータのアクセス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-277203 出願人：日本電気株式会社
特開平1-143095
特開平4-298884

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