特許
J-GLOBAL ID:200903012905806908

半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-149833
公開番号(公開出願番号):特開2004-356233
出願日: 2003年05月27日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】寄生インダクタンスが小さく、高周波特性に優れる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】ステムベース3上にはステムブロック4が設けられ、ステムブロック4には、ステムベース3の表面に沿った方向に突出してLD用サブマウント5が取り付けられている。LD用サブマウント5には、レーザダイオード6が取り付けられ、レーザダイオード6とステムベース3との間には、フォトダイオード12が設けられている。ステムベース2には、リードピン14A,14Bが設けられており、LD用サブマウント4に形成された伝送線路7,8を介してレーザダイオード6に差動で電流を供給している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ステムベースおよびステムブロックからなるステムと、 前記ステムブロックに対して、前記ステムベースの表面に沿った方向に突出して取り付けられたサブマウント部材と、 前記サブマウント部材に取り付けられたレーザダイオードと、 前記レーザダイオードと前記ステムベースとの間に配置されたフォトダイオードと、 前記ステムベースを貫通して取り付けられ、前記レーザダイオードに対して正相電流を供給する正相入力用リードピンと、 前記ステムベースを貫通して取り付けられ、前記レーザダイオードに対して逆相電流を供給する逆相入力用リードピンと、 前記サブマウント部材に形成され、前記正相入力用リードピンと前記レーザダイオードとを接続する第1伝送線路と、 前記サブマウント部材に形成され、前記逆相入力用リードピンと前記レーザダイオードとを接続する第2伝送線路と、 を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (1件):
H01S5/022
FI (1件):
H01S5/022
Fターム (12件):
5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073EA14 ,  5F073FA02 ,  5F073FA07 ,  5F073FA08 ,  5F073FA12 ,  5F073FA14 ,  5F073FA16 ,  5F073FA27 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • レーザモジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-033320   出願人:住友電気工業株式会社
  • 光送信器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-223200   出願人:日立電線株式会社
  • 光送信器及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-026741   出願人:住友電気工業株式会社
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