プラズマ処理方法および装置並びに基板脱離方法及び印加電圧の制御装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102806
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017808
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】被処理基板の裏面の誘電体の有無に拘らず、静電吸着した基板を迅速、確実に、かつ安全に脱離可能とする基板脱離方法および静電吸着クランプへの印加電圧を制御することを目的としている。【構成】静電吸着力で電極に保持された基板を離脱する前に、基板と電極の電位差をゼロにし、その後プラズマの生成を停止する。印加電圧を制御する装置はプラズマ生成用の高周波電圧の最大値(Vpp)を検出する回路と、高周波電圧の最大値(Vpp)からセルフバイアス電圧(Vdc)を演算する回路と、そのセルフバイアス電圧(Vdc)に基づいて直流電源により出力される直流電圧を制御する出力制御回路を備えている。

請求項（抜粋）：

反応性ガス等のガス導入手段を設けた真空容器内に少なくとも1個の電極を備え、該電極上に誘電体を介して被処理基板を載置し、真空容器内でプラズマを生成させて被処理基板の表面を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ処理中は、前記電極に直流電位を与え、この直流電位とプラズマにより被処理基板に誘起される負のセルフバイアス電圧との間の電位差に基づく静電吸着力で前記被処理基板を支持し、処理終了時には、前記プラズマの生成で被処理基板に誘起される負のセルフバイアス電圧と略等しい値の直流電圧を前記電極に印加し、その後プラズマの生成を停止して表面処理を終了するようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭60-005539
特開昭62-193126
プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-109813 出願人：日電アネルバ株式会社

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審査官引用 (5件)

特開昭60-005539
プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-109813 出願人：日電アネルバ株式会社
特開昭60-005539

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