特許
J-GLOBAL ID：200903012993282123
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-117209
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306917
出願日： 1996年05月13日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 超高周波領域において伝送信号の減衰を少なくし、かつ、半導体チップとパッケージとの接着性を向上する。【解決手段】 半導体チップ1上に設けられたパッドのうち、高周波信号の入出力に使用する高周波入出力パッド2の面積を、その他のパッド3の面積よりも小さくする。また、高周波入出力パッド2の隣接する周辺には、面積の大きいその他のパッド3を配置する。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に設けられたパッドと、パッケージ上に設けた金属電極とが、はんだバンプにより接続される半導体集積回路装置であって、前記パッドのうち、高周波信号の入出力に用いられる高周波入出力パッドの面積が、高周波信号の入出力に用いられないその他のパッドの面積と比較して小さいことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 602 J
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 P
, H01L 21/92 604 C
