特許
J-GLOBAL ID：200903013005648556
半導体素子の電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079681
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274567
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層の表面に電極を形成する半導体素子の電極の形成方法において、大気中の酸素や水との反応で生成する半導体層表面の酸化膜の除去の方法を確立し、半導体層と電極との直接の接触を実現することによって、電極と半導体とのオーミック接触あるいはショットキー接触を所望のように制御する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層の表面に、P、As、Sb、S、Seよりなる群から選ばれた少なくとも1種類の元素からなる保護層を形成し、該保護層上に前記電極の材料を積層して電極を形成する。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> N:但し、0≦x<1、0≦y≦1、0<x+y≦1)からなる半導体層の表面に電極を形成する半導体素子の電極の形成方法において、前記窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層の表面に、P、As、Sb、S、Seよりなる群から選ばれた少なくとも1種類の元素からなる保護層を形成し、該保護層上に前記電極の材料を積層して電極を形成することを特徴とする半導体素子の電極の形成方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
