特許
J-GLOBAL ID：200903005739368178
窒化物化合物半導体の電極形成方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005994
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209072
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 p型GaNに対して、低抵抗なオーミック電極を実現する。【解決手段】 p型GaNを真空蒸着装置に入れる直前に、沸酸溶液に浸し、水洗した後に窒素ガスで乾燥させ、真空蒸着装置に入れる。その後、600°Cの加熱処理を行い、Niを10nmとAuを300nm蒸着する。真空中で600°Cで加熱することにより、酸化物がある程度除去されるので、オーミック特性が向上する。
請求項（抜粋）：
3族元素に窒素を含む3-5族化合物半導体の表面を塩酸、沸酸、硫酸、または燐酸あるいはこれらの水溶液でエッチングする工程と、該半導体のエッチング後の表面を真空中あるいは窒素中で加熱し、しかる後に真空中でニッケル、クロム、マグネシウム、パラジウム、金、白金のうちの一層、または該金属の1層以上の組み合わせからなる複数の層を形成することを特徴とする窒化物化合物半導体の電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 33/00
H01L 21/28 301 H
, H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
