特許
J-GLOBAL ID：200903013025877390
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
波多野 久
, 関口 俊三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353109
公開番号（公開出願番号）：特開2006-160552
出願日： 2004年12月06日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。【解決手段】メインチャンバ内に整流ガスを導入するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、ネック部にネック部の径を拡径する拡径部及びネック部の径を縮径する縮径部を形成し、前記拡径部の形成時、この拡径部を冷却する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
整流ガスを供給して種結晶をシリコン融液に接触して、ネック部を育成してシリコン単結晶を引上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、前記ネック部にネック部の径を拡径する拡径部及びネック部の径を縮径する縮径部を形成し、前記拡径部の形成時、この拡径部を冷却することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B29/06 502F
, C30B29/06 502E
, C30B15/00 Z
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG15
, 4G077EG24
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077PA01
, 4G077PA04
, 4G077PA10
