プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389199
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190466
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】本発明はプラズマエッチング装置に関し、半導体ウェハの全面において均一なエッチングレートを確保することを目的とする。【解決手段】下部電極14の上に半導体ウェハ10を搭載する。半導体ウェハ10の外縁に沿って環状のフォーカスリング30を配置する。フォーカスリング30は、最も外周側に配置される石英製の第1リング32と、第1リング32の内側に配置されるシリコン製の第2リング34と、半導体ウェハ10の周縁と重なるように、最も内周側に配置される第3リング36とを含む。第3リング36は、プラズマエッチングの実行中にシリコンに比して緩やかな温度上昇を示す材質で構成される。

請求項（抜粋）：

処理室の中で半導体ウェハにプラズマエッチングを施す装置であって、前記半導体ウェハを保持する静電吸着電極と、前記静電吸着電極に直流電圧を供給する直流電源と、前記静電吸着電極に保持された前記半導体ウェハの裏面に冷却用ガスを導入する冷却機構と、前記半導体ウェハの外縁に沿って設置される環状のフォーカスリングと、前記処理室にエッチングガスを供給すると共に、その内部圧力を制御するガス供給系と、前記処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、を備え、前記フォーカスリングは、最も外周側に配置される石英製の第1リングと、前記第1リングの内側に配置されるシリコン製の第2リングと、前記半導体ウェハの周縁と重なるように、最も内周側に配置される第3リングとを含み前記第3リングは、前記処理室の内部に前記プラズマが発生している状況下で、シリコンに比して緩やかな温度上昇を示す所定材質で構成されることを特徴とするプラズマエッチング装置。

Fターム (6件)：

5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB29

引用特許：

出願人引用 (3件)

エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-166866 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
真空蒸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-009077 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
フォーカスリングおよびそのための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-525906 出願人：ラムリサーチコーポレーション

審査官引用 (2件)

エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-166866 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
真空蒸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-009077 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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