特許
J-GLOBAL ID：200903013080756640
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025422
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231965
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ガードリングとFLRを組合せたターミネーション領域の濃度プロファイルを明らかにし、耐圧を向上させたダイオード、トランジスタのような半導体装置を提供する。【解決手段】 ボロンをドーパントに用い、ガードリングとFLRを組合せ、かつFLRの不純物濃度を2×1017cm-3以上とし、ガードリングの不純物濃度をFLRの不純物濃度より1/10以上低くすることにより、高耐圧を達成する。
請求項（抜粋）：
一対の主表面を有するとともに、低不純物濃度である第一導電型の基体と、前記基体の第一主表面に形成され第一または第二導電型を有し、前記基体より低抵抗である第一層と、前記第一層の表面に形成された第一電極と、前記基体の第二主表面に形成され、前記基体の導電型と異なる導電型の第二領域と、前記第二領域に形成された第二電極と、前記第二領域の周辺を取り囲むターミネーション領域とを備え、前記ターミネーション領域は、第二導電型の第一帯状領域を有し、前記第一帯状領域には、同心形状を有する第二帯状領域が2本以上形成され、前記第二帯状領域は前記第一帯状領域より高濃度で、かつ、その濃度が2×1017cm-3より高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/80
, H01L 29/06 301
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 21/329
, H01L 29/861
H01L 29/06 301 G
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/80 V
, H01L 29/80 C
, H01L 29/91 B
, H01L 29/91 D
5F102FA01
, 5F102GB04
, 5F102GC07
, 5F102GC08
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GR07
, 5F102GR08
, 5F102HC01
, 5F102HC07
, 5F102HC21
