特許
J-GLOBAL ID：200903013087276414
高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
阿形 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-203781
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043656
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】高い輝度を有し、かつ繰り返し応力を印加しても発光輝度の減衰がない新規なメカノルミネッセンス材料を提供する。【解決手段】一般式xM1A1・(1-x)M2A2(M1及びM2は、Zn、Mn、Cd、Cu、Eu、Fe、Co、Ni、Mg及びCaの中から選ばれる少なくとも1種の原子、A1及びA2はカルコーゲンの中から選ばれる少なくとも1種の原子、M1A1とM2A2とは異なったもの、xは0よりも大きく1よりも小さい数)で表わされる複合半導体結晶からなる高輝度メカノルミネッセンス材料とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一般式
xM1A1・(1-x)M2A2
(式中のM1及びM2は、Zn、Mn、Cd、Cu、Eu、Fe、Co、Ni、Mg及びCaの中から選ばれる少なくとも1種の原子であり、A1及びA2はカルコーゲンの中から選ばれる少なくとも1種の原子であって、M1A1とM2A2とは異なったものであり、xは0よりも大きく1よりも小さい数である)
で表わされる複合半導体結晶からなる高輝度メカノルミネッセンス材料。
IPC (3件)：
C09K11/88
, C09K11/08
, G01L1/24
C09K11/88
, C09K11/08 B
, G01L1/24 Z
4H001CA02
, 4H001CF02
, 4H001XA08
, 4H001XA12
, 4H001XA16
, 4H001XA20
, 4H001XA25
, 4H001XA26
, 4H001XA27
, 4H001XA28
, 4H001XA29
, 4H001XA30
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA52
, 4H001XA63
