特許

J-GLOBAL ID：200903013098622063

保護膜形成材料

発明者： 井口 悦子 ,  越山 淳 ,  脇屋 和正
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387638
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190519
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 ホールのアスペクト比が大きくなってもボイドを形成することなく、しかもDense部とIso部の上に設けた場合にも、両者間に膜厚差を生じることのない保護膜形成材料を提供する。【解決手段】 樹脂成分と架橋剤成分とを質量比2:8ないし4:6の割合で含む固形分と有機溶剤からなる組成物において、上記固形分の質量平均分子量を1300〜4500の範囲に調整する。

請求項（抜粋）：

樹脂成分と架橋剤成分とを質量比2:8ないし4:6の割合で含む固形分と有機溶剤からなる組成物において、上記固形分の質量平均分子量を1300〜4500の範囲に調整したことを特徴とするデュアルダマシンプロセス用保護膜形成材料。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/90 Z

Fターム (9件)：

5F033MM02 ,  5F033QQ01 ,  5F033WW00 ,  5F058AA06 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020266   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142044   出願人：株式会社東芝