特許
J-GLOBAL ID：200903013141463276

面発光半導体レーザ素子

発明者：
横内 則之

横内 則之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153125
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332812
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 光出力特性を劣化させることなく動作電圧を低減させることができる面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 複数の半導体材料をヘテロ接合して成る一対の反射鏡層構造2,5の間に発光層4を配置した層構造が基板の上に形成され、かつ、反射鏡層構造2,5に不純物がドーピングされている面発光半導体レーザ素子において、反射鏡層構造2,5のうち前記発光層4の近傍に位置する領域2A(5A)における不純物のドーピング濃度は、他の領域2B(5B)における不純物のドーピング濃度よりも相対的に低濃度であり、かつ、発光層の近傍に位置する領域2A(5A)を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差ΔEg(2A,5A)は、他の領域2B(5B)を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差ΔEg(2B,5B)よりも相対的に小さい面発光半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
複数の半導体材料をヘテロ接合して成る一対の反射鏡層構造の間に発光層を配置した層構造が基板の上に形成され、かつ、前記反射鏡層構造に不純物がドーピングされている面発光半導体レーザ素子において、前記反射鏡層構造のうち前記発光層の近傍に位置する領域における不純物のドーピング濃度は、他の領域における不純物のドーピング濃度よりも相対的に低濃度であり、かつ、前記発光層の近傍に位置する領域を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差は、前記他の領域を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差よりも相対的に小さいことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AB17 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 垂直共振器型面発光半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-032475   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-280693
  • 面発光レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264824   出願人：日本電信電話株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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