特許
J-GLOBAL ID：200903097320125200

垂直共振器型面発光半導体レーザ

発明者：
小林 康宏

小林 康宏 について

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知野 豊治

知野 豊治 について

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松田 賢一

松田 賢一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032475
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288362
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 p型ミラーを底部に備えた低抵抗な面発光半導体レーザを提供する。【構成】 面発光半導体レーザは210は、上面212を有するp型下部ミラー102と、その上面全体を覆って形成されたp型スペーサ層103と、p型下部ミラー102の上面212よりも小さな底面を備えた活性層を含み、p型スペーサ層上に形成された活性領域104と、活性領域上に形成されたn型スペーサ層と、n型上部ミラーとを備えている。p型スペーサ層103、活性領域104、及びn型スペーサ層105のそれぞれの厚さ方向の光路長の合計dが活性領域から発振する光の波長λに対して、d=(1+n)・λ/2(n:自然数)の関係を満たしている。
請求項（抜粋）：
上面を有するp型下部ミラーと、該上面全体を覆って形成されたp型スペーサ層と、該p型下部ミラーの上面よりも小さな底面を備えた活性層を含み、該p型スペーサ層上に形成された活性領域と、該活性領域上に形成されたn型スペーサ層と、該n型スペーサ層上に形成されたn型上部ミラーとを備え、該p型スペーサ層、該活性領域、及び該n型スペーサ層のそれぞれの厚さ方向の光路長の合計dが該活性領域から発振する光の波長λに対して、d=(1+n)・λ/2(n:自然数)の関係を満たす、垂直共振器型面発光半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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